onsemi 2N7002 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 115 mA 200 mW, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:
124-1692
Herst. Teile-Nr.:
2N7002
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

115mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SOT-23

Serie

2N7002

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7.5Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

200mW

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

223nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

2.92mm

Höhe

0.93mm

Breite

1.3 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101

N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor


Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus (FET) werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser hohe Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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