onsemi 2N7002T Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 115 mA 200 mW, 3-Pin SC-89
- RS Best.-Nr.:
- 166-2854
- Herst. Teile-Nr.:
- 2N7002T
- Hersteller:
- onsemi
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- 2N7002T
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 115mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SC-89 | |
| Serie | 2N7002T | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 13.5Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 200mW | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 0.98 mm | |
| Höhe | 0.78mm | |
| Länge | 1.7mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 115mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SC-89 | ||
Serie 2N7002T | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 13.5Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 200mW | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 0.98 mm | ||
Höhe 0.78mm | ||
Länge 1.7mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor
Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus (FET) werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser hohe Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert.
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