Microchip VP2110 Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / -120 mA 0.36 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 264-8951
- Herst. Teile-Nr.:
- VP2110K1-G
- Hersteller:
- Microchip
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- Microchip
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -120mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Serie | VP2110 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 12Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.36W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 1.3mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 2.9mm | |
| Höhe | 1.12mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -120mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Serie VP2110 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 12Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.36W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 1.3mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 2.9mm | ||
Höhe 1.12mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der P-Kanal-MOSFET von Microchip mit niedrigem Schwellenwert und Verstärkungsmodus (normalerweise ausgeschaltet) nutzt eine vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Silizium-Gate-Herstellungsverfahren. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist. Die vertikalen DMOS-FETs eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkeranwendungen, bei denen sehr niedrige Schwellenspannung, hohe Durchbruchspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erwünscht sind.
Frei von sekundären Störungen
Geringe Leistungsanforderung des Antriebs
Einfaches Parallelieren
Niedrige CISS und schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Ausgezeichnete thermische Stabilität
Integrierte Source-to-Drain-Diode
Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung