Microchip VP2110 Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / -120 mA 0.36 W, 3-Pin SOT-23

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

€ 7,28

(ohne MwSt.)

€ 8,74

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 1 840 Einheit(en) mit Versand ab 30. Jänner 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 40€ 0,728€ 7,28
50 - 90€ 0,714€ 7,14
100 - 240€ 0,382€ 3,82
250 - 990€ 0,376€ 3,76
1000 +€ 0,368€ 3,68

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
264-8951
Herst. Teile-Nr.:
VP2110K1-G
Hersteller:
Microchip
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Microchip

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

-120mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

SOT-23

Serie

VP2110

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

12Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Verlustleistung Pd

0.36W

Durchlassspannung Vf

2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

1.3 mm

Länge

2.9mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.12mm

Automobilstandard

Nein

Der P-Kanal-MOSFET von Microchip mit niedrigem Schwellenwert und Verstärkungsmodus (normalerweise ausgeschaltet) nutzt eine vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Silizium-Gate-Herstellungsverfahren. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist. Die vertikalen DMOS-FETs eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkeranwendungen, bei denen sehr niedrige Schwellenspannung, hohe Durchbruchspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erwünscht sind.

Frei von sekundären Störungen

Geringe Leistungsanforderung des Antriebs

Einfaches Parallelieren

Niedrige CISS und schnelle Schaltgeschwindigkeiten

Ausgezeichnete thermische Stabilität

Integrierte Source-to-Drain-Diode

Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung

Verwandte Links