Infineon SIPMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 200 mA 0.36 W, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:
214-4475
Herst. Teile-Nr.:
SN7002NH6327XTSA2
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

200mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SOT-23

Serie

SIPMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

60 V

Maximale Verlustleistung Pd

0.36W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

1.5nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

IEC61249-2-21, AEC Q101

Automobilstandard

Nein

Diese Infineon SIPMOS Kleinsignal-MOSFETist ideal für Anwendungen in der Automobilindustrie und/oder anderen Bereichen geeignet. Sie sind in fast allen Anwendungen zu finden, z. B. Batterieschutz, Batterie Batterie laden, LED-Beleuchtung usw.

Es ist halogenfrei gemäß IEC61249-2-21

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