Infineon SIPMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 230 mA 360 mW, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:
826-9285
Herst. Teile-Nr.:
BSS138NH6433XTMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

230mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SOT-23

Serie

SIPMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.5Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

1nC

Durchlassspannung Vf

0.83V

Maximale Verlustleistung Pd

360mW

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

1.3 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

2.9mm

Höhe

1mm

Automobilstandard

AEC-Q101

N-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS®


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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