Infineon SIPMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 600 V / 21 mA 500 mW, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:
911-4971
Herst. Teile-Nr.:
BSS126H6327XTSA2
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

21mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

SIPMOS

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

700Ω

Channel-Modus

Entleerung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

1.4nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

500mW

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

2.9mm

Höhe

1mm

Breite

1.3 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
DE

N-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS®


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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