Microchip DN1509 N-Kanal, SMD Einfache MOSFETs Entleerungsmodus 90 V / 200 mA 0.36 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 849-964
- Herst. Teile-Nr.:
- DN1509T-V/C6X
- Hersteller:
- Microchip
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*
€ 1.596,00
(ohne MwSt.)
€ 1.914,00
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 26. November 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 + | € 0,532 | € 1.596,00 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 849-964
- Herst. Teile-Nr.:
- DN1509T-V/C6X
- Hersteller:
- Microchip
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 200mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 90V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Serie | DN1509 | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6Ω | |
| Channel-Modus | Entleerungsmodus | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.36W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.4V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.86nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 2.9mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS3 Compliant | |
| Breite | 1.3mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 200mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 90V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Serie DN1509 | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6Ω | ||
Channel-Modus Entleerungsmodus | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.36W | ||
Durchlassspannung Vf 1.4V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.86nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 2.9mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS3 Compliant | ||
Breite 1.3mm | ||
Höhe 1mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- TH
Der MOSFET von Microchip ist ein N-Kanal-Transistor mit Depletion-Modus, der für effizientes Schalten und Verstärken entwickelt wurde und eine hohe Eingangsimpedanz und eine überlegene thermische Leistung für verschiedene Anwendungen gewährleistet.
Hohe Eingangsimpedanz verbessert die Schaltkreisstabilität
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten verbessern die Reaktionszeiten in Anwendungen
Niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand sorgt für effiziente Stromverarbeitung
Frei von thermischem Auslauf und Sekundärbruch erhöht die Zuverlässigkeit
Verwandte Links
- Microchip 2N7002 N-Kanal 3-Pin SOT-23
- Microchip LND01 N-Kanal-DMOS-FET-Kanal 5-Pin SOT-23-5
- Microchip N-Kanal 3-Pin SOT-23
- Microchip N-Kanal 3-Pin SOT-23
- Microchip Typ P-Kanal 3-Pin SOT-23
- Microchip VP2110 Typ P-Kanal 3-Pin SOT-23
- Microchip DN2535 N-Kanal-DMOS-FET-Kanal 3-Pin TO-252
- Microchip DN3545 N-Kanal-DMOS-FET-Kanal 3-Pin TO-252
