Vishay Doppelt SiSF06DN Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 101 A 69.4 W, 8-Pin PowerPAK 1212

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
204-7260
Herst. Teile-Nr.:
SISF06DN-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

101A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

SiSF06DN

Gehäusegröße

PowerPAK 1212

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0045Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

30nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

69.4W

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

0.73mm

Breite

3.3 mm

Länge

3.3mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Der Vishay Dual N-Kanal 30 V (S1-S2) MOSFET mit Common-Drain-Zweifach-N-Kanal ist ein integriertes N-Kanal-MOSFETs mit gemeinsamer Stromaufnahme in einem kompakten und thermisch verbesserten Gehäuse.

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