Vishay SiSHA10DN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 30 A 39 W, 8-Pin PowerPAK 1212

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RS Best.-Nr.:
188-4897
Herst. Teile-Nr.:
SISHA10DN-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

30A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

SiSHA10DN

Gehäusegröße

PowerPAK 1212

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

34nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

39W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

3.3mm

Breite

3.3 mm

Höhe

0.93mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal 30 V (D-S) MOSFET.

Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV

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