Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 30 A 39 W, 8-Pin PowerPAK 1212

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

€ 8,26

(ohne MwSt.)

€ 9,91

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 12. August 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 90€ 0,826€ 8,26
100 - 240€ 0,682€ 6,82
250 - 490€ 0,665€ 6,65
500 - 990€ 0,647€ 6,47
1000 +€ 0,63€ 6,30

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
787-9409
Herst. Teile-Nr.:
SISA10DN-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

30A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

PowerPAK 1212

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

39W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

0.8V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

34nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

3.4mm

Breite

3.4 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.12mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


Verwandte Links