Vishay SiSH101DN Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 35 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212

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RS Best.-Nr.:
188-4892
Herst. Teile-Nr.:
SiSH101DN-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

35A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

PowerPAK 1212

Serie

SiSH101DN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

13mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

52W

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

68nC

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

3.3mm

Breite

3.3 mm

Höhe

0.93mm

Automobilstandard

Nein

P-Kanal 30 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET® Leistungs-MOSFET

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