Vishay Doppelt TrenchFET Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung / 4 A 23.1 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
228-2925
Herst. Teile-Nr.:
SiS590DN-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

PowerPAK 1212-8 Zweifach

Serie

TrenchFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.251Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

23.1W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

4.5nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Normen/Zulassungen

RoHS

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Der Vishay Combo N- und P-Kanal -100 V MOSFET.

100 % Rg- und UIS-geprüft

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