Teile-Nr.

Vishay Doppelt TrenchFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 19.8 A 3.25 W, 8-Pin SO-8

RS Best.-Nr.:: 180-8014
Herst. Teile-Nr.:: SI4204DY-T1-GE3
Hersteller:: Vishay

Vishay Doppelt TrenchFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 19.8 A 3.25 W, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:: 180-8014
Herst. Teile-Nr.:: SI4204DY-T1-GE3
Hersteller:: Vishay

Technische Daten des gezeigten Artikels

Datenblätter und Anleitungen

Rechtliche Anforderungen

Informationen zur Produktgruppe

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	19.8A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	20V
	Serie	TrenchFET
	Gehäusegröße	SO-8
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.006Ω
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Verlustleistung Pd	3.25W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	30nC
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Transistor-Konfiguration	Doppelt
	Länge	3.05mm
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	1.65 mm
	Höhe	1mm
	Anzahl der Elemente pro Chip	2
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 19.8A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 20V
	Serie TrenchFET
	Gehäusegröße SO-8
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.006Ω
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Verlustleistung Pd 3.25W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 30nC
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Transistor-Konfiguration Doppelt
	Länge 3.05mm
	Normen/Zulassungen No
	Breite 1.65 mm
	Höhe 1mm
	Anzahl der Elemente pro Chip 2
	Automobilstandard Nein

Datasheet

Ursprungsland:: CN

Vishay MOSFET

Der Vishay SMD-Dual-N-Kanal-MOSFET ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 20 V. Er verfügt außerdem über einen Drain-Source-Widerstand von 4,6 mohm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Er hat einen Dauerstrom von 19,8 A. Der MOSFET hat eine maximale Nennleistung von 3,25 W. Es wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.

Eigenschaften und Vorteile

• Halogenfrei

• bleifrei (Pb)

• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.

• TrenchFET-Leistungs-MOSFET

Anwendungen

• DC/DC-Wandler

• Feste Telekommunikation

• Notebook-PC

Zertifizierungen

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• Rg-geprüft

• UIS-geprüft