Vishay Doppelt TrenchFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 4.5 A 7.8 W, 8-Pin SC-70

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
228-2835
Herst. Teile-Nr.:
SIA938DJT-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

SC-70

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

21.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

7.8W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

3.5nC

Gate-Source-spannung max Vgs

12 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Normen/Zulassungen

No

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Der Vishay Dual N-Kanal MOSFET bietet außergewöhnliche Vielseitigkeit für das Design des Strommanagements.

Sehr niedriger RDS(on) und ausgezeichneter RDS x Qg.

Merit-of-Merit (FOM) in einem ultrakompakten

Gehäuseabmessungen

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