Vishay Doppelt TrenchFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 70 V Erweiterung / 31.8 A 33 W, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3 S.
- RS Best.-Nr.:
- 228-2937
- Herst. Teile-Nr.:
- SIZ256DT-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay
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- SIZ256DT-T1-GE3
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 31.8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 70V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Gehäusegröße | PowerPAIR 3 x 3 S. | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0176Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 18nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 33W | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 31.8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 70V | ||
Serie TrenchFET | ||
Gehäusegröße PowerPAIR 3 x 3 S. | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0176Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 18nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 33W | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Vishay Dual N-Kanal 70 V (D-S) MOSFET.
100 % Rg- und UIS-geprüft
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