Vishay Doppelt TrenchFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 69.3 A 31 W, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3 S.

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
228-2939
Herst. Teile-Nr.:
SiZ340BDT-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

69.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

PowerPAIR 3 x 3 S.

Serie

TrenchFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.00856Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

31W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

8.4nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Normen/Zulassungen

RoHS

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Der Vishay Dual N-Kanal 30-V (D-S) MOSFET.

100 % Rg- und UIS-geprüft

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