Vishay SiSS76LDN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 70 V / 67.4 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212

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RS Best.-Nr.:
210-5017
Herst. Teile-Nr.:
SiSS76LDN-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

67.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

70V

Serie

SiSS76LDN

Gehäusegröße

PowerPAK 1212

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5.2mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

12 V

Maximale Verlustleistung Pd

57W

Durchlassspannung Vf

1.1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

22.3nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

0.83mm

Länge

3.4mm

Breite

3.4 mm

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal 70-V-MOSFET (D-S) von Vishay verfügt über das PowerPAK 1212-8S-Gehäuse.

Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV

Sehr niedriger RDS x Qg Leistungsfaktor (FOM)

Abgestimmt auf den niedrigsten RDS x Foss FOM

100 % Rg- und UIS-geprüft

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