Vishay SiSS30LDN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 55.5 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

€ 11,10

(ohne MwSt.)

€ 13,30

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Lagerbestand aktuell unbekannt - Bitte versuchen Sie es später noch einmal

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 90€ 1,11€ 11,10
100 - 240€ 1,055€ 10,55
250 - 490€ 0,80€ 8,00
500 - 990€ 0,721€ 7,21
1000 +€ 0,61€ 6,10

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
188-5051
Herst. Teile-Nr.:
SISS30LDN-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

55.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

PowerPAK 1212

Serie

SiSS30LDN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

12mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

32.5nC

Maximale Verlustleistung Pd

57W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

3.3mm

Höhe

0.78mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal 80 V (D-S) MOSFET.

Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV

Sehr niedriger RDS x Qg Leistungsfaktor (FOM)

Abgestimmt auf den niedrigsten RDS x Foss FOM

Verwandte Links