Vishay SiSS30LDN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 55.5 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212

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RS Best.-Nr.:
188-4902
Herst. Teile-Nr.:
SISS30LDN-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

55.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

PowerPAK 1212

Serie

SiSS30LDN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

12mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

57W

Durchlassspannung Vf

1.1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

32.5nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

3.3mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

3.3 mm

Höhe

0.78mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal 80 V (D-S) MOSFET.

Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV

Sehr niedriger RDS x Qg Leistungsfaktor (FOM)

Abgestimmt auf den niedrigsten RDS x Foss FOM

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