Vishay SiSS30ADN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 54.7 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212

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RS Best.-Nr.:
210-5010
Herst. Teile-Nr.:
SiSS30ADN-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

54.7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

PowerPAK 1212

Serie

SiSS30ADN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7.4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

19.5nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.1V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

57W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

3.4mm

Höhe

0.83mm

Breite

3.4 mm

Automobilstandard

Nein

Der Vishay N-Kanal 80 V (D-S) MOSFET hat ein PowerPAK 1212-8S-Gehäuse mit 54,7 A Ableitstrom.

Leistungs-MOSFET TrenchFET Gen IV

Sehr niedriger RDS x Qg Leistungsfaktor (FOM)

Abgestimmt auf den niedrigsten RDS x Foss FOM

100 % Rg- und UIS-geprüft

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