Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 12 V / 85 A 69.4 W, 8-Pin PowerPAK 1212

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RS Best.-Nr.:
735-237
Herst. Teile-Nr.:
SISF12EDN-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

85A

Drain-Source-Spannung Vds max.

12V

Gehäusegröße

PowerPAK 1212

Serie

TrenchFET

Montageart

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.6mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

69.4W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

45.5nC

Gate-Source-spannung max Vgs

±8 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

3.3 mm

Länge

3.3mm

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

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