DiodesZetex N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 80 A 3,2 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
182-7152
Herst. Teile-Nr.:
DMNH6011LK3-13
Hersteller:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

80 A

Drain-Source-Spannung max.

55 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

18 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

3,2 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±12 V

Länge

6.7mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

49,1 nC @ 10V

Breite

6.2mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Höhe

2.26mm

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Ursprungsland:
CN
Dieses MOSFET der neuen Generation wurde zur Minimierung des Durchlasswiderstands (RDS(ON)) entwickelt, bietet dennoch überlegene Schaltleistung und ist somit ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen.

Ausgelegt für 175 °C – Ideal für den Einsatz bei hoher Umgebungstemperatur
Zu 100 % gelöste Induktionsschaltung – Erlaubt zuverlässigere und robustere Endanwendungen
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Niedrige Eingangskapazität
Bleifreie Oberfläche
halogen- und antimonfrei. "Grünes" Gerät
Anwendungen
Stromversorgungen
Motorsteuerung
DC/DC-Wandler

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