Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 55 A 157 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

RS Best.-Nr.:: 171-2425
Herst. Teile-Nr.:: TK55S10N1
Hersteller:: Toshiba

Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 55 A 157 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:: 171-2425
Herst. Teile-Nr.:: TK55S10N1
Hersteller:: Toshiba

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	55 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Gehäusegröße	DPAK (TO-252)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	6,5 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	157 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	±20 V
Breite	7mm
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Länge	6.5mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	49 nC @ 10 V
Automobilstandard	AEC-Q101
Diodendurchschlagsspannung	1.2V
Höhe	2.3mm

Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 55 A 157 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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