Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 55 A 157 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:
171-2425
Herst. Teile-Nr.:
TK55S10N1
Hersteller:
Toshiba
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Marke

Toshiba

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

55 A

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

6,5 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

157 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±20 V

Breite

7mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

6.5mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

49 nC @ 10 V

Automobilstandard

AEC-Q101

Höhe

2.3mm

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

RoHS Status: Ausgenommen

Ursprungsland:
JP
Kfz
Schaltspannungsregler
Motortreiber
Niedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle: RDS(ON) = 5,5 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)
Niedriger Leckstrom: IDSS = 10 μA (max.) (VDS = 100 V)
Verbesserungsmodus: Vth = 2,0 bis 4,0 V (VDS = 10 V, ID = 0,5 mA)

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