Infineon SIPMOS® P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 4,2 A 38 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:
826-9064
Herst. Teile-Nr.:
SPD04P10PLGBTMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

4,2 A

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Serie

SIPMOS®

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

1,05 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

38 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

12 nC @ 10 V

Länge

6.73mm

Breite

6.22mm

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

2.41mm

RoHS Status: Nicht zutreffend

Infineon SIPMOS® P-Kanal-MOSFETs


Die Kleinsignal-P-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS® besitzen verschiedene Merkmale wie den Verbesserungsmodus, einen durchgängigen Drain-Strom bis herunter auf –80 A sowie einen großen Betriebstemperaturbereich. Der SIPMOS-Leistungstransistor kann in einer Vielzahl von Anwendungen wie Telekommunikation, eMobility, Notebooks, DC/DC-Geräten sowie in der Automobilindustrie verwendet werden.

· AEC Q101-qualifiziert (siehe Datenblatt)
· Bleifreie Kabelbeschichtung, RoHS-konform


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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