Infineon OptiMOS™ -T2 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 50 A 56 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:
857-4590
Herst. Teile-Nr.:
IPD50N03S4L06ATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

50 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Serie

OptiMOS™ -T2

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

5,5 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.2V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

56 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

–16 V, +16 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

24 nC @ 10 V

Länge

6.73mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

6.22mm

Transistor-Werkstoff

Si

Höhe

2.41mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

RoHS Status: Ausgenommen

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