Infineon OptiMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 30 A 100 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

30 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Serie

OptiMOS™

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

10 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2V

Gate-Schwellenspannung min.

1.2V

Verlustleistung max.

100 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

6.73mm

Breite

6.22mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

31 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Höhe

2.41mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C