Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 30 A 36 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:
110-7435
Herst. Teile-Nr.:
IPD220N06L3GBTMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

30 A

Drain-Source-Spannung max.

60 V

Serie

OptiMOS™ 3

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

39,8 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.2V

Gate-Schwellenspannung min.

1.2V

Verlustleistung max.

36 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Länge

6.73mm

Breite

6.22mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

7 nC @ 4,5 V

Höhe

2.41mm

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

RoHS Status: Nicht zutreffend

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™3, 60 bis 80 V


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