Infineon OptiMOS T N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 82 A 79 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
753-3024P
Herst. Teile-Nr.:
IPD70N04S3-07
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

82 A

Drain-Source-Spannung max.

40 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Serie

OptiMOS T

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

6 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2.1V

Verlustleistung max.

79 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

30 nC @ 10 V

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

6.22mm

Länge

6.5mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Höhe

2.3mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

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