Infineon OptiMOS N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 30 A 100 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:
857-4584
Herst. Teile-Nr.:
IPD30N06S223ATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

30 A

Drain-Source-Spannung max.

55 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Serie

OptiMOS

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

23 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2.1V

Verlustleistung max.

100 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Breite

6.22mm

Transistor-Werkstoff

Si

Gate-Ladung typ. @ Vgs

25 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Länge

6.73mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

2.41mm

RoHS Status: Nicht zutreffend

Infineon OptiMOS™ Leistungs-MOSFET-Produktfamilie


optimos™ Produkte sind erhältlich in hohe Performance Packages zur Bewältigung der anspruchsvollsten Anwendungen für die volle Flexibilität bei eingeschränkten Platzverhältnissen. Diese Infineon Produkte sind zur erfüllen und übertreffen die Energieeffizienz und Leistungsdichte Anforderungen der geschärft werden nächste Generation Spannungsregelung Normen Computeranwendungen.

N-Kanal - Anreicherungstyp
Kfz AEC Q101 zugelassen
MSL1 bis zu 260 °C Spitze Aufschmelzlötung
175 °C Betriebstemperatur
grünen Paket (bleifrei)
Extrem niedriger RDS(on)


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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