Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 160 A 230 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:
145-8610
Herst. Teile-Nr.:
IRFS3306PBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

160 A

Drain-Source-Spannung max.

60 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Serie

HEXFET

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

4 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

230 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

4.06mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

85 nC @ 10 V

Breite

9.65mm

Höhe

14.61mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Ursprungsland:
MX

Synchroner Motorsteuerungs- und AC/DC-Gleichrichter-MOSFET, Infineon


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