Infineon HEXFET IRFS3306PBF N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 160 A 230 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

RS Best.-Nr.:: 145-8610
Herst. Teile-Nr.:: IRFS3306PBF
Hersteller:: Infineon

Infineon HEXFET IRFS3306PBF N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 160 A 230 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:: 145-8610
Herst. Teile-Nr.:: IRFS3306PBF
Hersteller:: Infineon

MOSFET N-ch HEXFET 60V 160A TO220AB
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	160 A
Drain-Source-Spannung max.	60 V
Serie	HEXFET
Gehäusegröße	DPAK (TO-252)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	4 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	230 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	9.65mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	85 nC @ 10 V
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Länge	4.06mm
Höhe	14.61mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C

Infineon HEXFET IRFS3306PBF N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 160 A 230 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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