Infineon IRF3710ZS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 59 A 160 W, 3-Pin TO-263

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

€ 14,28

(ohne MwSt.)

€ 17,14

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • 380 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
  • Die letzten 130 Einheit(en) mit Versand ab 28. Mai 2026
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 +€ 1,428€ 14,28

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
162-3302
Herst. Teile-Nr.:
IRF3710ZSTRLPBF
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

59A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

IRF3710ZS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

18mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.3V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

160W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

82nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

10.67mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

4.83mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Dieser HEXFET®-Leistungs-MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Weitere Merkmale dieser Konstruktion: Sperrschichtbetriebstemperatur von 175 °C, hohe Schaltgeschwindigkeit und eine bessere Bewertung wiederholter Lawinen. Diese Eigenschaften machen diese Konstruktion zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.

Fortschrittliche VerfahrenstechnologieSehr niedriger EinschaltwiderstandDynamische dv/dt-BewertungBetriebstemperatur von 175 °CSchnelle SchaltgeschwindigkeitWiederholte Lawine bis Tjmax erlaubtBleifrei

Verwandte Links