Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 59 A 158 W, 8-Pin PG-HSOF-8

Der 650 V CoolSiC MOSFET von Infineon wurde mit modernster Siliziumkarbid-Technologie entwickelt und bietet unübertroffene Effizienz und Zuverlässigkeit für anspruchsvolle Anwendungen. Diese Komponente der nächsten Generation wurde entwickelt, um die Leistung in verschiedenen Hochtemperatur- und schwierigen Betriebsumgebungen zu optimieren. Sein innovatives Design, das in 20 Jahren verfeinert wurde, verbindet mühelos hohe Betriebssicherheit mit benutzerfreundlicher Integration. Die erhöhte Leistungsdichte und die Reduzierung der Systemgröße machen ihn zu einer idealen Wahl für Anwendungen wie Solar-Wechselrichter, Ladeinfrastruktur für Elektrofahrzeuge und Energiespeicherlösungen, die eine nahtlose Implementierung in Stromversorgungssystemen ermöglichen.

Optimiertes Schaltverhalten steigert die Effizienz