Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 44 A 203 W, 8-Pin PG-HSOF-8

Der Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 zeigt fortschrittliche Siliziumkarbidtechnologie, die sorgfältig für hohe Leistung und Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Anwendungen entwickelt wurde. Dieser MOSFET profitiert von über zwei Jahrzehnten der Optimierung und bietet außergewöhnliche Effizienz und Benutzerfreundlichkeit, womit er eine ideale Wahl für verschiedene Implementierungen ist, einschließlich Solar-Wechselrichter und Ladesysteme für Elektrofahrzeuge. Seine robusten Eigenschaften sorgen für einen zuverlässigen Betrieb in Umgebungen mit hohen Temperaturen und ebnen den Weg für kompaktere und effizientere Stromversorgungsdesigns. Mit einer schnellen Body-Diode und überlegener Gate-Oxid-Zuverlässigkeit hebt sich dieses Produkt in seiner Kategorie ab und bietet ein einzigartiges Gleichgewicht zwischen Leistung und Benutzerfreundlichkeit. Perfekt für Ingenieure, die nach Exzellenz in Stromversorgungsschaltkreisen streben, verkörpert dieser MOSFET Innovation und Zuverlässigkeit und setzt einen neuen Benchmark in der Branche.

Optimiert für hohe Schaltströme