Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 44 A 203 W, 8-Pin PG-HSOF-8
- RS Best.-Nr.:
- 284-724
- Herst. Teile-Nr.:
- IMT65R057M1HXUMA1
- Hersteller:
- Infineon
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- IMT65R057M1HXUMA1
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- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 44A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | CoolSiC MOSFET 650 V G1 | |
| Gehäusegröße | PG-HSOF-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 23 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 203W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 28nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 44A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie CoolSiC MOSFET 650 V G1 | ||
Gehäusegröße PG-HSOF-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 23 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 203W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 28nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 zeigt fortschrittliche Siliziumkarbidtechnologie, die sorgfältig für hohe Leistung und Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Anwendungen entwickelt wurde. Dieser MOSFET profitiert von über zwei Jahrzehnten der Optimierung und bietet außergewöhnliche Effizienz und Benutzerfreundlichkeit, womit er eine ideale Wahl für verschiedene Implementierungen ist, einschließlich Solar-Wechselrichter und Ladesysteme für Elektrofahrzeuge. Seine robusten Eigenschaften sorgen für einen zuverlässigen Betrieb in Umgebungen mit hohen Temperaturen und ebnen den Weg für kompaktere und effizientere Stromversorgungsdesigns. Mit einer schnellen Body-Diode und überlegener Gate-Oxid-Zuverlässigkeit hebt sich dieses Produkt in seiner Kategorie ab und bietet ein einzigartiges Gleichgewicht zwischen Leistung und Benutzerfreundlichkeit. Perfekt für Ingenieure, die nach Exzellenz in Stromversorgungsschaltkreisen streben, verkörpert dieser MOSFET Innovation und Zuverlässigkeit und setzt einen neuen Benchmark in der Branche.
Optimiert für hohe Schaltströme
Verbesserte Lawinenfähigkeit für mehr Robustheit
Kompatibel mit Standardtreibern für mehr Flexibilität
Kelvin-Quellen-Konfiguration reduziert Schaltverluste
Hohe Leistung und Zuverlässigkeit kombiniert
Ideal für kontinuierliche harte Kommutierung
Kompaktes Design verbessert die Leistungsdichte
Qualifiziert für industrielle Anwendungen gemäß JEDEC-Standards
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