Infineon IRF3710ZS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 59 A 160 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 162-3273
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF3710ZSTRLPBF
- Hersteller:
- Infineon
Derzeit nicht erhältlich
Aufgrund einer herstellerseitigen Produktionseinstellung wissen wir nicht, ob dieser Artikel wieder vorrätig sein wird.
- RS Best.-Nr.:
- 162-3273
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF3710ZSTRLPBF
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 59A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | IRF3710ZS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 18mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 160W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 82nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Breite | 9.65mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.67mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 59A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie IRF3710ZS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 18mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 160W | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 82nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 4.83mm | ||
Breite 9.65mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.67mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Dieser HEXFET®-Leistungs-MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Weitere Merkmale dieser Konstruktion: Sperrschichtbetriebstemperatur von 175 °C, hohe Schaltgeschwindigkeit und eine bessere Bewertung wiederholter Lawinen. Diese Eigenschaften machen diese Konstruktion zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.
Fortschrittliche VerfahrenstechnologieSehr niedriger EinschaltwiderstandDynamische dv/dt-BewertungBetriebstemperatur von 175 °CSchnelle SchaltgeschwindigkeitWiederholte Lawine bis Tjmax erlaubtBleifrei
Verwandte Links
- Infineon IRF3710ZS Typ N-Kanal 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- DiodesZetex Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- Vishay SIJ Typ N-Kanal 7-Pin SO-8L
- ROHM AG096F Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- Vishay TrenchFET N-Kanal 8-Pin PowerPAK 1212-8S
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Typ N-Kanal MOSFET N 100 V / 59 A 94 W, 3-Pin TO-252