Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 59 A 110 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 217-2620
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-39-420
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR2905ZTRPBF
- Hersteller:
- Infineon
Mengenrabatt sichern
100 weitere Einheiten hinzufügen, um 4% zu sparen
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)*
€ 16,22
(ohne MwSt.)
€ 19,46
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Nur noch Restbestände
- Letzte 1 100 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Packung* | Ihre Ersparnis |
|---|---|---|---|
| 20 - 80 | € 0,811 | € 16,22 | - |
| 100 - 180 | € 0,771 | € 15,42 | 4% |
| 200 - 480 | € 0,738 | € 14,76 | 9% |
| 500 - 980 | € 0,706 | € 14,12 | 12% |
| 1000 + | € 0,656 | € 13,12 | 19% |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 217-2620
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-39-420
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR2905ZTRPBF
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 59A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 14.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 110W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 29nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 6.73mm | |
| Breite | 6.22mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 2.39mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 59A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 14.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 110W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 29nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 6.73mm | ||
Breite 6.22mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 2.39mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon HEXFET ® Leistungs-MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Betriebswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Weitere Merkmale dieser Konstruktion: Sperrschichtbetriebstemperatur von 175 °C, hohe Schaltgeschwindigkeit und eine bessere Bewertung wiederholter Lawinen. Diese Eigenschaften machen dieses Design zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.
Fortschrittliche Verfahrenstechnologie
Sehr niedriger Einschaltwiderstand
Betriebstemperatur von 175 °C
Fast Switching
Wiederholte Lawine bis Tjmax erlaubt
Bleifrei