Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 56 A 110 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
222-4750
Herst. Teile-Nr.:
IRFR2405TRPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

56A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

160kΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

110nC

Maximale Verlustleistung Pd

110W

Durchlassspannung Vf

1.3V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

6.22mm

Länge

6.73mm

Automobilstandard

Nein

Das Infineon Design der HEXFET ® Leistungs-MOSFETs von International Rectifier nutzt Advanced Processing Techniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.

Fortschrittliche Verfahrenstechnologie

Dynamische dv/dt-Bewertung

Fast Switching

Voll-Avalanche-Bewertung

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