DiodesZetex Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 59 A 1.73 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 246-7561
- Herst. Teile-Nr.:
- DMTH10H015SK3-13
- Hersteller:
- DiodesZetex
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| 100 - 240 | € 0,949 | € 9,49 |
| 250 - 990 | € 0,932 | € 9,32 |
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- 246-7561
- Herst. Teile-Nr.:
- DMTH10H015SK3-13
- Hersteller:
- DiodesZetex
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 59A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.014Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.73W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 6.1 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 2.29mm | |
| Länge | 6.58mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 59A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.014Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.73W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 6.1 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 2.29mm | ||
Länge 6.58mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der DiodesZetex ist ein N-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSFET. Er wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand (RDS(ON)) zu minimieren und dennoch eine überlegene Schaltleistung aufrechtzuerhalten, womit er ideal für hocheffiziente Leistungsmanagementanwendungen ist. Es handelt sich um ein umweltfreundliches Gerät, das vollständig blei-, halogen- und antimonfrei ist. Dieser MOSFET wird in einem TO252-Gehäuse geliefert. Er bietet schnelles Schalten und einen hohen Wirkungsgrad. Sie ist für +175 °C ausgelegt und ideal für Umgebungen mit hohen Umgebungstemperaturen geeignet. Seine zu 100 % ungeklemmte induktive Schaltung sorgt für eine zuverlässigere und robustere Endanwendung.
Die maximale Ableitungs-Quellenspannung beträgt 100 V und die maximale Gate-Quellenspannung beträgt ±20 V. Ihr niedriger RDS(ON) hilft bei der Minimierung von Leistungsverlusten. Ihr niedriger Qg hilft bei der Minimierung von Schaltverlusten
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