DiodesZetex Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.73 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
246-7558
Herst. Teile-Nr.:
DMT68M8LSS-13
Hersteller:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10.7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

12V

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

41mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

1.73W

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

1.45mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

3.85 mm

Länge

4.9mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der DiodesZetex stellt einen N-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSFET her, der den Widerstand im eingeschalteten Zustand (RDS(ON)) minimiert und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung aufrechterhält, womit er ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen ist. Es handelt sich um ein umweltfreundliches Gerät, das vollständig blei-, halogen- und antimonfrei ist. Dieser MOSFET wird in einem SO-8-Gehäuse geliefert. Er bietet schnelles Schalten und einen hohen Wirkungsgrad. Seine zu 100 % ungeklemmte induktive Schaltung sorgt für eine zuverlässigere und robustere Endanwendung. Er hat einen Betriebstemperaturbereich von –55 °C bis +150 °C.

Die maximale Ableitungs-Quellenspannung beträgt 60 V. Die maximale Gate-Quellenspannung beträgt ±20 V. Sie bietet einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand. Sie hat eine niedrige Gate-Schwellenspannung. Sie bietet ein ESD-geschütztes Gate

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