DiodesZetex DMP65H Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.73 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 246-7533
- Herst. Teile-Nr.:
- DMP65H13D0HSS-13
- Hersteller:
- DiodesZetex
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
€ 13,00
(ohne MwSt.)
€ 15,60
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- 3 370 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | € 1,30 | € 13,00 |
| 50 - 90 | € 1,274 | € 12,74 |
| 100 - 490 | € 1,01 | € 10,10 |
| 500 + | € 0,894 | € 8,94 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 246-7533
- Herst. Teile-Nr.:
- DMP65H13D0HSS-13
- Hersteller:
- DiodesZetex
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10.7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 12V | |
| Serie | DMP65H | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 41mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.73W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 13.4nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 6mm | |
| Länge | 4.9mm | |
| Breite | 1.45 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10.7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 12V | ||
Serie DMP65H | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 41mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.73W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 13.4nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 6mm | ||
Länge 4.9mm | ||
Breite 1.45 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der DiodesZetex stellt MOSFETs her, die den Widerstand im eingeschalteten Zustand (RDS(ON)) minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung beibehalten, womit er ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen ist. Es handelt sich um ein umweltfreundliches Gerät, das vollständig blei-, halogen- und antimonfrei ist. Dieser MOSFET wird in einem SO-8-Gehäuse geliefert. Er bietet schnelles Schalten und einen hohen Wirkungsgrad.
Die maximale Ableitungs-Quellenspannung beträgt 600 V und die maximale Gate-Quellenspannung beträgt ±30 V. Sie bietet einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand. Sie hat eine hohe BVDSS-Nennleistung für Leistungsanwendungen. Sie bietet eine niedrige Eingangskapazität.
Verwandte Links
- DiodesZetex DMP65H Typ P-Kanal 8-Pin SOIC
- DiodesZetex Typ N-Kanal 8-Pin DMT68M8LSS-13 SOIC
- DiodesZetex Typ P-Kanal 8-Pin DMP65H20D0HSS-13 SOIC
- DiodesZetex Typ P-Kanal 8-Pin DMPH4015SSSQ-13 SOIC
- DiodesZetex Typ P-Kanal MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.73 W PowerDI5060-8
- DiodesZetex Typ P-Kanal MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.73 W DMPH33M8SPSW-13 PowerDI5060-8
- DiodesZetex Typ P-Kanal MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.73 W DMP3011SPSW-13 PowerDI5060-8
- DiodesZetex Typ P-Kanal MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.73 W, 8-Pin PowerDI3333-8