Vishay SIJ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 59 A 69.4 W, 7-Pin SO-8L

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
279-9931
Herst. Teile-Nr.:
SIJ4106DP-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

59A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

SIJ

Gehäusegröße

SO-8L

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0083Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

48nC

Maximale Verlustleistung Pd

69.4W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

5.13mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

VISHAYs MOSFET ist ein N-Kanal-MOSFET, und der Transistor besteht aus dem Material Silizium.

TrenchFET-Leistungs-MOSFET

Vollständig bleifreies Bauteil

Sehr niedrige RDS x Qg-Leistungszahl

100 Prozent Rg und UIS getestet

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