Vishay SIJ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 59 A 69.4 W, 7-Pin SO-8L
- RS Best.-Nr.:
- 279-9931
- Herst. Teile-Nr.:
- SIJ4106DP-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay
Mengenrabatt sichern
60 weitere Einheiten hinzufügen, um € 39,00 zu sparen
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 4 Stück)*
€ 10,34
(ohne MwSt.)
€ 12,41
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- 5 980 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* | Ihre Ersparnis |
|---|---|---|---|
| 4 - 56 | € 2,585 | € 10,34 | - |
| 60 - 96 | € 1,935 | € 7,74 | € 39,00 |
| 100 - 236 | € 1,725 | € 6,90 | € 86,00 |
| 240 - 996 | € 1,693 | € 6,77 | € 214,08 |
| 1000 + | € 1,663 | € 6,65 | € 922,00 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 279-9931
- Herst. Teile-Nr.:
- SIJ4106DP-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 59A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | SIJ | |
| Gehäusegröße | SO-8L | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0083Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 69.4W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 48nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 5.13mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 59A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie SIJ | ||
Gehäusegröße SO-8L | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0083Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 69.4W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 48nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 5.13mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
VISHAYs MOSFET ist ein N-Kanal-MOSFET, und der Transistor besteht aus dem Material Silizium.
TrenchFET-Leistungs-MOSFET
Vollständig bleifreies Bauteil
Sehr niedrige RDS x Qg-Leistungszahl
100 Prozent Rg und UIS getestet
Verwandte Links
- Vishay SIJ N-Kanal 7-Pin SO-8L
- Vishay SIJ N-Kanal 7-Pin SO-8L
- Vishay SIJ Typ P-Kanal 7-Pin SO-8L
- Vishay TrenchFET N-Kanal 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay Gemeinsamer Drain TrenchFET Gen IV N-Kanal 2 8-Pin
- Vishay Gemeinsamer Drain TrenchFET Gen IV N-Kanal 2 8-Pin
- Vishay Doppelt SiSF06DN N-Kanal 2 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay SiJA N-Kanal 4-Pin PowerPAK SO-8L