Vishay Gemeinsamer Drain TrenchFET Gen IV Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 52 A 69.4 W,

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RS Best.-Nr.:
188-5025
Herst. Teile-Nr.:
SiSF20DN-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

52A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

TrenchFET Gen IV

Gehäusegröße

PowerPAK 1212

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

18mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

69.4W

Betriebstemperatur min.

150°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

22nC

Transistor-Konfiguration

Gemeinsamer Drain

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Höhe

0.75mm

Breite

3.4 mm

Länge

3.4mm

Normen/Zulassungen

No

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Gemeinsam - Drain Dual N-Kanal 60 V (S1-S2) MOSFET.

Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV

Sehr niedriger Einschaltwiderstand von Quelle zu Quelle

Integrierte n-Kanal-MOSFETs mit gemeinsamer Stromaufnahme in einem kompakten und thermisch verbesserten Gehäuse

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