Vishay TrenchFET Gen IV Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 18.3 A 4.8 W, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
200-6797
Herst. Teile-Nr.:
Si4425FDY-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

18.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

TrenchFET Gen IV

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

16mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Maximale Verlustleistung Pd

4.8W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

41nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Vishay Si4425FDY-T1-GE3 ist ein P-Kanal-MOSFET mit 30 V (D-S).

TrenchFET® Gen IV P-Kanal-Leistungs-MOSFET

100% Rg-geprüft

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