Vishay TrenchFET® Gen IV P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 18,3 A, 8-Pin SO-8

RS Best.-Nr.:: 200-6797
Herst. Teile-Nr.:: Si4425FDY-T1-GE3
Hersteller:: Vishay

Vishay TrenchFET® Gen IV P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 18,3 A, 8-Pin SO-8

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Herst. Teile-Nr.:: Si4425FDY-T1-GE3
Hersteller:: Vishay

Document- Si4425FDY-T1-GE3

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	18,3 A
Drain-Source-Spannung max.	30 V
Serie	TrenchFET® Gen IV
Gehäusegröße	SO-8
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	0,016 Ω, 0,0095 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.2V
Anzahl der Elemente pro Chip	1

Vishay TrenchFET® Gen IV P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 18,3 A, 8-Pin SO-8

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