Vishay Gemeinsamer Drain TrenchFET Gen IV N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 25 V Erweiterung / 60 A 69.4 W, 8-Pin

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*

€ 2.145,00

(ohne MwSt.)

€ 2.574,00

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Lagerbestand aktuell unbekannt - Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3000 +€ 0,715€ 2.145,00

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
188-4890
Herst. Teile-Nr.:
SISF02DN-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

60A

Drain-Source-Spannung Vds max.

25V

Gehäusegröße

PowerPAK 1212

Serie

TrenchFET Gen IV

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

37nC

Maximale Verlustleistung Pd

69.4W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

-12V, +16V

Maximale Betriebstemperatur

+150°C

Transistor-Konfiguration

Gemeinsamer Drain

Länge

3.4mm

Höhe

0.75mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

3.4mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Zweifach-N-Kanal-MOSFET mit gemeinsamem Ablass, 25 V (S1-S2).

Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV

Sehr niedriger Einschaltwiderstand von Quelle zu Quelle

Integrierte n-Kanal-MOSFETs mit gemeinsamer Stromaufnahme in einem kompakten und thermisch verbesserten Gehäuse

Verwandte Links