Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 60 V / 330 A 205 W, 8-Pin PowerPAK
- RS Best.-Nr.:
- 904-978
- Herst. Teile-Nr.:
- SIRS4614EPW-T1-RE3
- Hersteller:
- Vishay
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 330A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Gehäusegröße | PowerPAK | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.000995Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 98nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 205W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 6mm | |
| Normen/Zulassungen | ROHS | |
| Breite | 5mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 330A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie TrenchFET | ||
Gehäusegröße PowerPAK | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.000995Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 98nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 205W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 6mm | ||
Normen/Zulassungen ROHS | ||
Breite 5mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- DE
Der Leistungs-MOSFET von Vishay wurde für hocheffiziente Vorgänge entwickelt, insbesondere zur Bewältigung von Leistungsverlusten im Zusammenhang mit der Leitfähigkeit in elektronischen Anwendungen. Diese Komponente zeichnet sich durch ihre robuste Konstruktion und Langlebigkeit unter verschiedenen Bedingungen aus.
Die TrenchFET Gen IV-Technologie gewährleistet eine hervorragende Leistung bei minimalem Leistungsverlust
Ausgelegt für eine Drain-Source-Spannung von 60 V, sorgt für Stabilität in Hochspannungsumgebungen
Niedriger On-State-Widerstand maximiert die Effizienz in Power-Management-Anwendungen
Entwickelt mit verbesserter Verlustleistung für weniger thermische Probleme
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