Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 40 V / 266 A 263 W, 8-Pin PowerPAK

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RS Best.-Nr.:
904-969
Herst. Teile-Nr.:
SQJ140EP-T1_NE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

N-Kanal

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

266A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

PowerPAK

Serie

TrenchFET

Montageart

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0021Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

49.2nC

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Verlustleistung Pd

263W

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

ROHS

Länge

6.15mm

Breite

4.9mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
GB
Der Leistungs-MOSFET von Vishay bietet eine zuverlässige Schaltleistung und einen effizienten Betrieb für Automobilanwendungen und anspruchsvolle Umgebungen und gewährleistet ein optimales Energiemanagement und eine längere Lebensdauer des Geräts.

AEC-Q101-qualifiziert für Automobilanwendungen

Die TrenchFET Gen IV-Technologie optimiert die Schalteigenschaften

Niedriger On-State-Widerstand verbessert die Gesamteffizienz

Großer Betriebstemperaturbereich von -55 bis +175 °C

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