Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 45 V / 208 A 104 W, 8-Pin PowerPAK

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RS Best.-Nr.:
904-977
Herst. Teile-Nr.:
SIR608DP-T1-UE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

208A

Drain-Source-Spannung Vds max.

45V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

PowerPAK

Montageart

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0012Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

104W

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

50.5nC

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.15mm

Normen/Zulassungen

ROHS

Breite

5.15mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
IL
Der Leistungs-MOSFET von Vishay wurde für eine effiziente Leistung in Hochleistungsanwendungen entwickelt und bietet ein zuverlässiges Management von Drain-Source-Spannung und -Strom. Es spielt eine entscheidende Rolle bei der Verbesserung der Energieeffizienz in elektronischen Systemen.

N-Kanal-Design für optimierte Leitfähigkeit und Leistung

Maximale Drain-Source-Nennspannung von 45 V gewährleistet robusten Betrieb

Niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand verbessert die Energieeffizienz und thermische Leistung

Integriert mit Avalanche-Nennleistung zum Schutz vor übermäßigen Spannungsspitzen

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