Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD Leistungs-MOSFET N 60 V / 100 A 104 W, 8-Pin PowerPAK
- RS Best.-Nr.:
- 851-506
- Herst. Teile-Nr.:
- SIR692DP-T1-UE3
- Hersteller:
- Vishay
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Rolle mit 1 Stück)*
€ 2,68
(ohne MwSt.)
€ 3,22
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 13. August 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Gurtabschnitt(e) | Pro Gurtabschnitt |
|---|---|
| 1 - 9 | € 2,68 |
| 10 - 99 | € 1,74 |
| 100 - 499 | € 1,19 |
| 500 - 999 | € 0,97 |
| 1000 + | € 0,90 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 851-506
- Herst. Teile-Nr.:
- SIR692DP-T1-UE3
- Hersteller:
- Vishay
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Gehäusegröße | PowerPAK | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0048Ω | |
| Channel-Modus | N | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 63.5nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 104W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 1.04mm | |
| Länge | 6.05mm | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101 Qualified | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie TrenchFET | ||
Gehäusegröße PowerPAK | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0048Ω | ||
Channel-Modus N | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 63.5nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 104W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 1.04mm | ||
Länge 6.05mm | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101 Qualified | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- DE
Der Hochleistungs-MOSFET von Vishay wurde für effiziente Schaltfunktionen in Power-Management-Anwendungen entwickelt. Seine robuste Konstruktion gewährleistet Zuverlässigkeit und optimale Funktionalität in verschiedenen anspruchsvollen Umgebungen.
N-Kanal-Konfiguration für überlegene Betriebseffizienz
ThunderFET-Technologie verbessert die Leistung durch Optimierung des Gleichgewichts zwischen Einschaltwiderstand und Schalteigenschaften
Bietet eine maximale Drain-Source-Spannung von 250 V, wodurch die Eignung für Hochspannungsanwendungen gewährleistet ist
Entwickelt mit einem maximalen kontinuierlichen Ablassstrom von 24,2 A, der für umfangreiche Lastbedingungen geeignet ist
Verwandte Links
- Vishay TrenchFET N-Kanal 8-Pin PowerPAK
- Vishay TrenchFET N-Kanal 8-Pin PowerPAK
- Vishay TrenchFET N-Kanal 8-Pin PowerPAK
- Vishay TrenchFET N-Kanal 8-Pin PowerPAK 1212-8S
- Vishay TrenchFET N-Kanal 8-Pin PowerPAK SO-8
- Vishay TrenchFET N-Kanal 8-Pin PowerPAK SO-8
- Vishay TrenchFET N-Kanal 8-Pin PowerPAK SO-8
- Vishay TrenchFET N-Kanal 8-Pin PowerPAK SO-8