Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD Leistungs-MOSFET N 80 V / 40 A 375 W, 8-Pin PowerPAK
- RS Best.-Nr.:
- 851-503
- Herst. Teile-Nr.:
- SIR178DP-T1-UE3
- Hersteller:
- Vishay
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- SIR178DP-T1-UE3
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 40A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK | |
| Serie | TrenchFET | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0029Ω | |
| Channel-Modus | N | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 69.5nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 375W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101 Qualified | |
| Breite | 5.25mm | |
| Höhe | 1.04mm | |
| Länge | 6.05mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße PowerPAK | ||
Serie TrenchFET | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0029Ω | ||
Channel-Modus N | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 69.5nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 375W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101 Qualified | ||
Breite 5.25mm | ||
Höhe 1.04mm | ||
Länge 6.05mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- TW
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay wurde entwickelt, um ein effizientes Energiemanagement in verschiedenen Anwendungen zu ermöglichen. Sein Compact PowerPAK SO-8-Gehäuse gewährleistet Zuverlässigkeit und Leistung und macht ihn zu einer vielseitigen Wahl für moderne Elektronik.
Verfügt über TrenchFET Gen IV-Technologie für verbesserte Effizienz
Bietet einen sehr niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand zur Reduzierung von Leistungsverlusten
Entwickelt für den Betrieb mit Niederspannungs-Gate-Antrieb bei 2,5 V
100 % auf R und UIS getestet, um Qualität und Zuverlässigkeit zu gewährleisten
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