Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD Leistungs-MOSFET N 80 V / 40 A 375 W, 8-Pin PowerPAK

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RS Best.-Nr.:
851-502
Herst. Teile-Nr.:
SIR178DP-T1-BE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

40A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

PowerPAK

Serie

TrenchFET

Montageart

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0029Ω

Channel-Modus

N

Maximale Verlustleistung Pd

375W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

69.5nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

1.04mm

Länge

6.05mm

Normen/Zulassungen

AEC-Q101 Qualified

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
TW
Der leistungsstarke N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Vishay wurde für ein effizientes Energiemanagement entwickelt. Seine Hauptfunktion besteht darin, die Leitfähigkeit mit geringem Leistungsverlust zu optimieren, wodurch er für verschiedene Stromanwendungen geeignet ist.

Die TrenchFET Gen IV-Technologie gewährleistet überlegene Leistung

Extrem niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand minimiert die Leitungsverluste

Unterstützt Niederspannungs-Gate-Ansteuerung für verbesserte Effizienz

Vollständig auf Zuverlässigkeit unter R- und UIS-Bedingungen getestet

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