Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD Leistungs-MOSFET N 70 V / 45.3 A 39 W, 8-Pin PowerPAK
- RS Best.-Nr.:
- 851-509
- Herst. Teile-Nr.:
- SISS178LDN-T1-BE3
- Hersteller:
- Vishay
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- Herst. Teile-Nr.:
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 45.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 70V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK | |
| Serie | TrenchFET | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.013Ω | |
| Channel-Modus | N | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 18.7nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 39W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101 Qualified | |
| Länge | 6.05mm | |
| Höhe | 1.04mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 45.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 70V | ||
Gehäusegröße PowerPAK | ||
Serie TrenchFET | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.013Ω | ||
Channel-Modus N | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 18.7nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 39W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101 Qualified | ||
Länge 6.05mm | ||
Höhe 1.04mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- IL
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay bietet eine hohe Effizienz im Energiemanagement und verfügt über eine robuste Konstruktion, die verschiedene elektrische Anforderungen in fortschrittlichen elektronischen Anwendungen unterstützt.
Ausgelegt für eine Ablass-Quellenspannung von 70 V, was eine zuverlässige Leistung in verschiedenen Anwendungen gewährleistet
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand mit maximal 0,0109 Ω bei 4,5 V, was die Energieeffizienz verbessert
Entwickelt für kontinuierliche Ablassströme bis zu 42,3 A, unterstützt Hochleistungsbetrieb
Verfügt über eine einzelne Impuls-Avalanche-Nennleistung von 15 A, die vor Spannungstransienten schützt
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